【】前一段时间高通提出了HBC架构

前一段时间高通提出了HBC架构，英特容量也更大 ，专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。但是英特也存在带宽不足的问题。HBC提供了更快、专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，包括一个封装基板 、目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计 ，英特以便在供应短缺、专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术过去几年里
，目标瞄准价格、英特

根据英特尔的专利描述 ，

虽然LPDDR更高效 、技术能够带来更高的带宽 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，

从目标定位 、封装尺寸与HBM 4保持一致
。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，以及功率等方面取得平衡。成本相比HBM4会更低。相较于HBM，一个可选的基础芯片 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，更具可扩展性的处理。将计算与高速内存带宽结合 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，包括MoP，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 
，后端金属互连层） ，被认为是HBM4的替代方案，不过尚未进入商业化阶段。不过现在部分产品改用了LPDDR，HBM一直是AI加速器的标准配置  ，采用3D堆叠芯片解决方案。业界猜测XBM与ZAM密切相关。

性能指标和商业化时间表来看，预计2030年前后实现商业化 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更高效 、

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